2025年1月31日，江西萨瑞微电子技术有限公司申请了一项名为“一种沟槽MOS器件及其制备方法”的专利，这一创新可能会对半导体行业的技术进步产生深远的影响。根据国家知识产权局的信息，该专利的公开号为CN119384018A，申请日期为2024年11月。随着电子设备对性能和可靠性要求的不断提升，江西萨瑞的这一专利应运而生，旨在解决沟槽MOS器件在可靠性和漏电方面的难题。

mos管工作原理图 二、特性差异 （1）输入阻抗 三极管的输入阻抗相对较低，一般在几百Ω到几千Ω之间。这意味着三极管的基极需要一定的电流来 ...