高压GaN（氮化镓）器件在工业和汽车应用存在的致命弱点和被成熟低价的碳化硅MOSFET取代的原因。 高压GaN（氮化镓）器件虽然因其高电子迁移率、高击穿场强和高频特性备受青睐，但在大功率高压应用（如电动汽车、光伏逆变器、电网系统）中，国产碳化硅（SiC ...