2025年1月31日，江西萨瑞微电子技术有限公司申请了一项名为“一种沟槽MOS器件及其制备方法”的专利，这一创新可能会对半导体行业的技术进步产生深远的影响。根据国家知识产权局的信息，该专利的公开号为CN119384018A，申请日期为2024年11月。随着电子设备对性能和可靠性要求的不断提升，江西萨瑞的这一专利应运而生，旨在解决沟槽MOS器件在可靠性和漏电方面的难题。

这个铂电阻刚才在测量加热台的时候居然内部断裂了。两端的电阻达到了超过1M欧姆。是否因为这种铂电阻无法忍受超过250摄氏度的加热台的温度呢？ 手边还有两个铂电阻，一个与刚才铂电阻是相同的金属铠装，另外一个是陶瓷封装。下面再使用他们两个 ...

集成电路的持续发展在很大程度上依赖于新材料的整合。从诸如二维材料和碳纳米管等新型沟道材料，到用于存储器应用的先进铁电材料以及新型互连材料，半导体行业不断探索和开发创新解决方案，以克服缩放难题并提升器件性能。

要判断电源做低频负载切换是否有意义，需要从多个维度深入分析，包括低频负载的特性、电源在不同场景下的需求以及切换过程 ... 在电子电路领域，三极管和 MOS 管作为两种重要的半导体器件，广泛应用于各类电路设计中。它们在实现电路功能时发挥着关键 ...