2025年1月31日，江西萨瑞微电子技术有限公司申请了一项名为“一种沟槽MOS器件及其制备方法”的专利，这一创新可能会对半导体行业的技术进步产生深远的影响。根据国家知识产权局的信息，该专利的公开号为CN119384018A，申请日期为2024年11月。随着电子设备对性能和可靠性要求的不断提升，江西萨瑞的这一专利应运而生，旨在解决沟槽MOS器件在可靠性和漏电方面的难题。

深圳英集芯的这一专利，能够在射频放大器性能上带来革命性提升，为未来5G技术、自动驾驶、智能家居等众多领域创造了更好的应用背景，同时也将推动行业技术的进一步升级。通过减少电容引起的损耗，有助于提高系统的能效，进而降低用户的使用成本。从长期来看，这项技术 ...

包括前面的 500mA的可恢复保险丝， 这个5.6V的稳压管，以及 P 沟道MOS管。下面，将这些器件拆卸归类。 五、自恢复保险丝 下面测试一下自恢复保险丝的特性。为了方便测量，将它焊接在一颗 100mil 的插针上，这样便可以应用面包板测量它的伏安特性。

有了自举电路，就可以轻松在上管栅极G产生一个高压，从而驱动上管MOS。 在整个工作过程中，自举电路利用电容两端电压不能突变的特性，在 Buck 电路的 PWM 周期内，交替进行充电和放电过程，实现了高侧 MOSFET 的连续驱动，从而确保 Buck 开关电路能够正常工作。

AMD新一代B850主板在前阵子已经正式发售，和B650最大区别就是强制会支持PCIe 5.0 ...

这个铂电阻刚才在测量加热台的时候居然内部断裂了。两端的电阻达到了超过1M欧姆。是否因为这种铂电阻无法忍受超过250摄氏度的加热台的温度呢？ 手边还有两个铂电阻，一个与刚才铂电阻是相同的金属铠装，另外一个是陶瓷封装。下面再使用他们两个 ...

集成电路的持续发展在很大程度上依赖于新材料的整合。从诸如二维材料和碳纳米管等新型沟道材料，到用于存储器应用的先进铁电材料以及新型互连材料，半导体行业不断探索和开发创新解决方案，以克服缩放难题并提升器件性能。

在月初盛大开启的 CES 大会上，科技圈迎来一场重磅革新。NVIDIA发布基于 Blackwell 架构的 GeForce RTX 50 系列显卡，同时带来 DLSS 4、Reflex 2 等一众前沿技术，引发行业瞩目。如今，随着性能 ...

随着消费者对便携性和高效充电的需求增加，手机厂商和充电器品牌纷纷推出小型化PD快充产品，以满足市场需求··· 随着消费者对便携性和高效充电的需求增加，手机厂商和充电器品牌纷纷推出小型化PD快充产品，以满足市场需求。小型化PD快充不仅适用于 ...

无传感器电机控制技术，是指在电机控制系统中不使用位置或速度传感器，如编码器、霍尔传感器等，而是通过电机的电流电压信号来计算电机转子位置和速度，相对于有感电机控制，这种技术可以有效避免传感器干扰，在降低成本、提高系统可靠性以及简化电机结构方面具有显著优 ...