GaN HEMT和GaN MOSFET都是基于氮化镓(GaN)材料的半导体器件，但它们是不同的器件类型。 GaN HEMT代表高电子迁移率晶体管（High Electron Mobility Transistor），它利用氮化镓材料的高电子迁移率来实现高速、高功率、高效率的操作。它具有低电阻和高开关速度的特点 ...

当前市场上充斥着大量不同的Si MOSFET驱动器，而新的GaN驱动器和内置GaN驱动器的控制器还需要几年才能面世。除了简单的专用GaNFET驱动器（如LT8418 ...

例如，典型 GaN FET的输出电荷品质因数为5nC-Ω，而硅器件为25nC-Ω。借助这些器件，设计人员可以使用较小的死区时间和低磁化电流，而它们对于增加频率和减少循环功率损耗必不可少。 ·与硅和SiC电源MOSFET不同，GaN晶体管结构中本身没有体二极管，因此没有反向 ...