功率激光器的主要失效机理，介 绍了国内外主要研制机构新的测 量方法和寿命数据，分析了寿命 评价的一些注意因素并进行了初 步探讨。 2 主要失效机理分析 高功率半导体激光器的主要 的退化模式有：有源区退化、腔面 退化、电极和欧姆接触退化、端面

2019年6月11日 · 《半导体光电》收稿日期:004-08-0. 光电器件808nm大功率半导体激光器的加速老化实验路国光套格套尧 舜孙艳芳单肖楠王 超刘 云王立军中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室吉林长春130033摘 要: 对InGaAsP/GaAs有源区无铝的808nm大功率半导体激光器进行了高温恒流加速老化实验 ...

双应力交叉步进加速退化试验下大功率半导体 激光器寿命预测方法 张业奇1,2，王贞福1*，李 特1，陈 琅1，张佳晨1，吴顺华1,2，刘嘉辰1,2，杨国文1 (1. 中国科学院西安光学精密机械研究所 瞬态光学与光子技术国家重点实验室，陕西 西安 710119；

半导体激光器的退化过 程按统计学归纳为三种表现形式：快速退化、突然 失效和缓慢退化[9]。可以用在恒定输出光功率下的 激光器驱动电流-时间曲线表示三种表现形式，示意 图如图2所示。 1）快速退化：在恒定驱动电流工作下，激光器的 输出光功率下降得 ...

通过本文阐述的可靠性加速寿命试验，尝试计算了大功率激光器芯片长期退化过程的综合激活能 Ea 的值为 0.52 eV ，并根据其值外推了室温下大功率半导体激光器的平均寿命为 15 000 h 。寿命测试的结果是统计值，试验样品数自然越多越准确。

半导体激光器退化主要有体内退化、腔面退 化和与焊接有关的退化等几种形式ꎮ 4.1 体内退化 体内退化主要是材料内部的杂质与缺陷增 多ꎬ从而使载流子的非辐射复合速率增加ꎬ造成器 件缓慢退化ꎮ我们分别对老化前后的5只器件进

2022年5月26日 · 大功率半导体激光器因其体积小、调制容易、转换效率高而受到广泛关注。它们在包括自由空间通信在内的国民经济建设和国防建设中发挥着重要作用；工业加工；以及医疗、航天、军事等领域。大功率半导体激光器的可靠性是应用系统的关键。特别是在军事防御和航空航天领域寻求更高的可靠性。

2021年9月11日 · 一般以维持恒定的输出光功率，测试不同老化温度下的退化率即可得到样片的激活能Ea。 dI／dt对应上图的I（t）拐点之后的退化率值。一般对于GaAlAs／GaAs激光器，其Ea的平均值约0．7eV；对于InGaAsP／InP激光，Ea平均值约1．0eV。寿命约10E5～10E6小时。

2021年5月11日 · 半导体激光器的封装工艺流程参考表1。 二、失效机理与案例分析 . 半导体激光器失效模式主要表现为工作期间无输出光强，或在恒定驱动电流下输出光功率退化失效，当输出功率退化至特定阈值，就会导致激光器失效。

作者. 毛峰 华东师范大学通信与电子工程学院 电子工程系极化材料与器件 教育部重点实验室. 我们一般将单模输出功率超过500 mW的LDs称之为高功率 半导体激光器 (High power laser diodes，HPLDs)。 对于电光转换效率最高可达75%的HPLDs，其剩余电能会引起器件升温，导致器件退化甚至引起灾难性光学损伤 ...