SOI（硅技术）_百度百科
SOI 全名为 Silicon On Insulator ，是指 硅 晶体管 结构在 绝缘体 之上的意思，原理就是在硅晶体管之间，加入绝缘体物质，可使两者之间的寄生 电容 比原来的少上一倍。
绝缘体上硅 - 百度百科
绝缘体上硅是用于移动应用的芯片制造商需要的是功耗更小的半导体器件。 绝缘体上硅，在整个行业向新一代半导体器件的衍变过程中，芯片制造商面临着严峻的挑战。
什么是SOI衬底？ - 知乎专栏
SOI是Silicon-On-Insulator的缩写。直译为在 绝缘层 上的硅。实际的结构是， 硅片 上有一层超薄的绝缘层，如SiO2。在绝缘层上又有一层薄薄的硅层，这种结构将有源硅层与衬底的硅层分开。而在传统的 硅制程 中，芯片直接在硅衬底上形成，没有使用 绝缘体层 。
认识半导体XIII——绝缘体上的单晶硅薄膜（SOI） - 知乎
绝缘体上的单晶硅薄膜，即Silicon-On-Insulator (简称SOI)，可以在部分半导体器件中替代体单晶以显著改善器件的某些电学性能，因此得到了广泛的关注和研究。
终于有人把CMOS、SOI和FinFET技术史梳理清楚了 - 腾讯云
2019年10月29日 · 1、绝缘体上硅（soi） 传统MOS结构和SOI MOS结构的主要区别在于：SOI器件具有掩埋氧化层，其将基体与衬底隔离。 如图7所示，SOI晶体管是一个平面结构。
Silicon on insulator(SOI) 绝缘体上硅 - CSDN博客
2023年12月29日 · 绝缘体上硅（Silicon on Insulator, SOI）是一种先进的半导体材料技术，它在硅基片上叠加一层绝缘层，以提高芯片性能和降低功耗，特别适用于高性能计算、射频通信和物联网等领域的应用。
从概念到现状，一文读懂FD-SOI - 知乎 - 知乎专栏
全耗尽型绝缘体上硅（fd-soi）是一种 平面工艺 技术，依赖于两项主要技术创新。首先，在衬底上面制作一个超薄的绝缘层，又称埋氧层。 用一个非常薄的硅膜制作晶体管沟道。
【半导体先进工艺制程技术系列】SOI技术（上）_soi工艺-CSDN博客
2022年7月6日 · SOI技术，全称为绝缘体上硅（Silicon on Insulator），是半导体制造领域中一种先进的工艺技术。 这种 技术 在传统的硅基芯片制造基础上引入了一层绝缘层，通常由二氧化硅（SiO2）构成，将硅晶体管的活性区域与硅衬底...
绝缘衬底上的硅技术 SOI 发展与应用分析_History - 搜狐
2019年6月29日 · FD-SOI 技术又称完全耗尽型绝缘体上硅（Fully Depleted Silicon On Insulator），是由伯克利教授胡正明在 2000 年发明的。 FD-SOI（图 9）可以实现对纳米节点工艺制程下晶体管电流的有效控制和阈值电压的灵活调控，因而 21 世纪伊始，以 Leti、Soitec、 STM 等为代表的欧洲 ...
SOI 硅片（绝缘体上硅） - 硅谷微电子公司 - SVMI
绝缘体上硅晶圆由三层材料堆叠而成，包括：优质硅的有源层（器件层）、电绝缘二氧化硅的氧化埋层（box）和散装硅支撑晶圆（衬底）。 SOI 晶圆是针对特定最终用户应用的独特产品。